Infinite Analysis Seminar Tokyo
Seminar information archive ~09/18|Next seminar|Future seminars 09/19~
Date, time & place | Saturday 13:30 - 16:00 117Room #117 (Graduate School of Math. Sci. Bldg.) |
---|
2006/06/10
13:30-16:00 Room #117 (Graduate School of Math. Sci. Bldg.)
Boris Feigin (Landau Institute for Theoretical Physics) 13:30-14:30
"Critical" level for Vertex Algebras
酸化物非線形素子とその展開
Boris Feigin (Landau Institute for Theoretical Physics) 13:30-14:30
"Critical" level for Vertex Algebras
[ Abstract ]
In the talk I present the construction of "VOA" on a critical level using fermionic screenings.Then I discuss the geometric background behind such algebras and applications - Langlands correspondence and related things
坂井 穣 (北陸先端科学技術大学院大学) 15:00-16:00In the talk I present the construction of "VOA" on a critical level using fermionic screenings.Then I discuss the geometric background behind such algebras and applications - Langlands correspondence and related things
酸化物非線形素子とその展開
[ Abstract ]
半導体からなるダイオード、超伝導体からなるジョセフソン素子 などは、それぞれに特徴的な非線形電流電圧 (I-V) 特性をもつがゆえに素子としての機能を発現する。本講演では、主にセラミックス 材料からなるいくつかの薄膜素子において最近観測された、電界誘起金 属転移や不揮発性抵抗変化といった興味深い非線形 I-V 特性を 紹介し、それらをメモリやロジック素子へ展開する可能性を探る。
半導体からなるダイオード、超伝導体からなるジョセフソン素子 などは、それぞれに特徴的な非線形電流電圧 (I-V) 特性をもつがゆえに素子としての機能を発現する。本講演では、主にセラミックス 材料からなるいくつかの薄膜素子において最近観測された、電界誘起金 属転移や不揮発性抵抗変化といった興味深い非線形 I-V 特性を 紹介し、それらをメモリやロジック素子へ展開する可能性を探る。